El 24 de junio de 2025, Jingsheng Electromechanical, la Escuela de Circuitos Integrados de la Universidad de Zhejiang y Zhejiang Chuangxin firmaron un acuerdo de cooperación estratégica para construir conjuntamente dos centros: el Centro Conjunto de I+D de Equipos y Procesos Avanzados de Circuitos Integrados y el Centro de Cooperación Universidad-Empresa para la Formación de Talento y la Innovación Tecnológica en Circuitos Integrados, con el fin de acelerar el avance de la localización de equipos para circuitos integrados mediante la integración de industria, academia e investigación.   Las tres partes se centran en la I+D conjunta de equipos y procesos de epitaxia de silicio de 12 pulgadas, establecen un mecanismo de atracción y formación de talento y promueven la integración entre industria y educación; integrando las ventajas de la industrialización de Jingsheng Electromechanical, la investigación científica de la Universidad de Zhejiang y la transformación de plataforma de Zhejiang Chuangxin, buscan construir un ciclo cerrado de "investigación básica - avances tecnológicos - transformación de logros - aplicación industrial", superar la tecnología de cuello de botella de los equipos, formar talentos compuestos y mejorar la competitividad central de la industria.   Jingsheng Electromechanical es una empresa líder en China en equipos para materiales semiconductores, con sólidas capacidades de investigación en la Escuela de Circuitos Integrados de la Universidad de Zhejiang y una plataforma provincial de innovación para circuitos integrados de 12 pulgadas operada por Zhejiang Chuangxin; anteriormente, Jingsheng había liderado el Consorcio de Tecnología de Pulido de Wafers de Silicio del delta del río Yangtsé. Esta cooperación impulsa aún más la localización de equipos, la reducción de costos y la mejora de la eficiencia (se espera reducir los costos en aproximadamente un 20 %), y ayuda a que la cadena industrial nacional de circuitos integrados sea independiente y controlable.

En octubre de 2025, Tiancheng Semiconductor anunció un avance importante en la investigación y desarrollo de carburo de silicio de 12 pulgadas. Gracias a equipos de crecimiento de cristal desarrollados internamente, produjo con éxito monocristales de SiC de tipo N y semiaislantes de 12 pulgadas de alta pureza. El espesor efectivo de los cristales de tipo N superó los 35 mm, y los equipos desarrollados internamente pueden producir monocristales de hasta 350 mm. Al mismo tiempo, ha dominado el proceso de preparación maduro de estos dos tipos de monocristales.  La empresa se estableció en 2021 y se ha dedicado de forma intensiva a la investigación, el desarrollo y la fabricación de sustratos de carburo de silicio y equipos de crecimiento de cristal, con un ritmo claro de iteración tecnológica: lograr la producción en lotes pequeños de lingotes de SiC de 6 pulgadas en 2022; alcanzar un avance tecnológico de 8 pulgadas en 2023; y en 2024 lograr la producción en masa de 8 pulgadas con un error de uniformidad de espesor controlado dentro de 2 micras. En julio de 2025, hemos tomado la delantera en la conquista del proceso clave de SiC de tipo N de 12 pulgadas, innovando en el proceso de horno de resistencia para romper el cuello de botella de la tasa de crecimiento en la industria, reduciendo significativamente la densidad de microtubos y alcanzando una tasa de rendimiento del 65 %. En la actualidad, la empresa ha establecido una línea de producción completa que va desde el horno de monocristal, la preparación de polvo hasta el crecimiento y procesamiento de cristales a gran escala, logrando una tecnología de proceso completo de SiC autónoma y controlable, y consolidando la competitividad central de la localización de sustratos de semiconductores de tercera generación

Recientemente, el sector nacional de materiales de silicio para semiconductores ha dado un paso importante en su desarrollo. Se ha realizado una inversión en silicio de investigación de 400 millones de yuanes para construir una base a gran escala de monocristal de silicio para semiconductores en Baotou. Una vez completada, la producción anual de silicio monocristalino superará las 1.000 toneladas, y se espera que entre en funcionamiento en diciembre de 2027;  Shanghai Hejing planea recaudar no más de 900 millones de yuanes en fondos adicionales, con especial enfoque en la industrialización de obleas de silicio grandes de 12 pulgadas para apoyar la sustitución nacional. El mercado mundial actual de obleas de silicio para semiconductores está dominado por un oligopolio, con los cinco principales actores que representan alrededor del 90% y aceleran los procesos avanzados de posicionamiento en chips. China se encuentra actualmente en un período crítico de sustitución nacional, y empresas como Shanghai Silicon Industry están impulsando la producción a gran escala con avances decisivos. Los expertos del sector afirman que la industria presenta altas barreras de entrada y ciclos largos, y que se intensificará la competencia a medida que las empresas nacionales optimicen su posición frente a los gigantes internacionales. El proceso de sustitución nacional promoverá el desarrollo de alta calidad de las industrias relacionadas en China