Tiancheng Semiconductor logra un nuevo avance en SiC de 12 pulgadas
2026-04-22
En octubre de 2025, Tiancheng Semiconductor anunció un avance importante en la investigación y desarrollo de carburo de silicio de 12 pulgadas. Gracias a equipos de crecimiento de cristal desarrollados internamente, produjo con éxito monocristales de SiC de tipo N y semiaislantes de 12 pulgadas de alta pureza. El espesor efectivo de los cristales de tipo N superó los 35 mm, y los equipos desarrollados internamente pueden producir monocristales de hasta 350 mm. Al mismo tiempo, ha dominado el proceso de preparación maduro de estos dos tipos de monocristales.
La empresa se estableció en 2021 y se ha dedicado de forma intensiva a la investigación, el desarrollo y la fabricación de sustratos de carburo de silicio y equipos de crecimiento de cristal, con un ritmo claro de iteración tecnológica: lograr la producción en lotes pequeños de lingotes de SiC de 6 pulgadas en 2022; alcanzar un avance tecnológico de 8 pulgadas en 2023; y en 2024 lograr la producción en masa de 8 pulgadas con un error de uniformidad de espesor controlado dentro de 2 micras. En julio de 2025, hemos tomado la delantera en la conquista del proceso clave de SiC de tipo N de 12 pulgadas, innovando en el proceso de horno de resistencia para romper el cuello de botella de la tasa de crecimiento en la industria, reduciendo significativamente la densidad de microtubos y alcanzando una tasa de rendimiento del 65 %. En la actualidad, la empresa ha establecido una línea de producción completa que va desde el horno de monocristal, la preparación de polvo hasta el crecimiento y procesamiento de cristales a gran escala, logrando una tecnología de proceso completo de SiC autónoma y controlable, y consolidando la competitividad central de la localización de sustratos de semiconductores de tercera generación
